国星光电：获得一项LED相关发明专利

    7月21日，国星光电对外发布关于取得发明专利证书的公告，公告称，公司于近日取得一项发明专利，并获得了由国家知识产权局颁发的专利证书。

    据悉，该项专利的名称为用于在晶圆级封装中暴露电极的方法及掩膜版，专利是申请日为2012 年 06 月 13 日，授权日为2015 年 6 月 17 日，有效期为20年。

    国星光电表示，该专利的专利权人为公司。此项专利的取得不会对公司生产经营产生重大影响，但有利于保护和发挥公司自主知识产权优势，形成持续创新机制，保持技术领先地位，提升公司的核心竞争力。