Holst Center采用sALD在PEN箔上创建IGZO OLED显示器背板

    荷兰Holst Center研究人员采用空间原子层沉积（sALD）技术，在薄膜晶体管（TFT）氧化物-TFT（IGZO）显示器背板上同时创建半导体层和介电层。

    研究人员在薄的PEN箔上创建了200 PPI的QVGA OLED显示器原型。这展示了如何在廉价的透明塑料箔片上使用sALD在低温工艺（低于200摄氏度）下生产TFT。TFT的迁移率达到8 cm2/V2，通道长度降至1μm。

    sALD设备由Holst Center开发，并由从Holst衍生出来的初创公司SALDtech进行商业化。 SALDtech当前提供1代（320x250 mm）工具，目前正在开发生产设备。