高性能功率器件提供商——东微半导登陆科创板

    2月10日，苏州东微半导体股份有限公司在上海证券交易所上市，日前发布了首次公开发行股票并在科创板上市发行结果公告。

    公开资料显示，东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，其产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。

    本次公开发行的股票数量约为1684.41万股，本次公开发行后的总股本为约6737.64万股，发行价格为130元/股，对应市盈率为429.3倍，本次发行募集资金总额约21.9亿元。

    专注工业及汽车市场

    近年来，碳中和、碳达峰、新能源汽车、5G和云计算等新技术应用需求迎来了爆发性增长，而功率半导体是在上述应用中实现电能转换的核心基础元器件。公开信息显示，东微半导的业务大多来自于工业级和汽车相关应用。

    资料显示，东微半导的主要营业构成为各类工业通信电源、新能源汽车充电桩、大功率照明电源、逆变器、电池保护、消费电子设备，和显示器电源等。

    业内周知，相对于消费电子市场，工业及汽车市场对芯片的性能和品质要求更高，存在着较高的技术壁垒。在功率器件领域，应用于新能源汽车的芯片基本被进口芯片品牌垄断，仅极少数国内芯片供应商能够进入上述领域，而东微半导便是其中的佼佼者。经过多年验证，2021年公司产品开始批量进入比亚迪新能源车，成功进军车载芯片市场。

    2021年度预计营收同比增150%至160%

    招股书披露，东微半导预计2021年度营业收入为7.72亿元至8.03亿元，同比增长150%至160%；预计2021年度归属于母公司所有者的净利润为1.32亿元至1.53亿元，同比增长377%至453%；预计2021年度扣非后的净利润为1.27亿元至1.47亿元，同比增长522%至620%。2021年公司业绩暴增的主要原因是受益新能源汽车充电桩、通信电源以及光伏逆变器的需求暴增。

    招股书显示，截至2021年6月30日东微半导的研发人员占比46%，按其员工数推算，预计人均产值超过1000万元，属于典型的技术密集型芯片设计高科技公司。

    王牌产品性能优于国际同行

    东微半导的众多技术亮点，包括国际领先的超级结 MOSFET、超级硅MOSFET技术、业内独创的Tri-gate IGBT技术以及Hybrid-FET器件技术等。

    据了解，高压超级结MOSFET是东微半导的王牌产品，也是其功率分立器件领域中占比最大的产品，高压超级结MOSFET器件具有高频、易驱动、功率密度高等特点，应用领域非常广泛，涵盖通信、汽车电子、工业控制、光伏、储能、智能电网、消费电子等领域。

    不过，长期以来，高压超级结MOSFET市场主要被进口厂商占据，国内高性能高压超级结MOSFET功率器件市场占比较小。在此情况下，东微半导自成立以来积极投入对高压超级结MOSFET产品的研发，并得到了华为、比亚迪、特锐德、通用电气、视源股份、英飞源、英可瑞、高斯宝、金升阳、雷能、美的、创维、康佳等全球知名客户的认可，取得良好的市场口碑。

    2016年4月14日，人民日报刊登了东微半导的高压超级结MOSFET在充电桩用高压高速核心半导体器件领域首次实现国产化的报道，确定了东微半导在充电桩功率器件领域“国产第 一芯”的地位。

    随着“碳中和”、“碳达峰”的火热讨论，绿色用电、高效发电显得至关重要，而新能源汽车、5G等新技术应用更是加速了第三代半导体产业化需求，在此背景下，业内人士纷纷认为，具备可提升能源转换效率特点的第三代半导体产业将进入发展快车道。