拓荆科技拟募资 46 亿元 加码高端半导体设备研发与产业化 助力产业链自主可控

    2025 年 11 月 27 日，拓荆科技股份有限公司（以下简称 “拓荆科技”）发布公告，披露 2025 年度向特定对象发行 A 股股票相关方案（修订稿），公司拟募集资金总额不超过 46 亿元，用于高端半导体设备产业化基地建设、前沿技术研发中心建设及补充流动资金三大方向，全部围绕公司核心主营业务展开，聚焦科技创新领域，助力我国半导体产业链国产化提升。

    作为国内高端半导体专用设备领域的领军企业，拓荆科技主营业务涵盖高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务，已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等薄膜沉积设备产品，以及三维集成领域先进键合设备和配套量检测设备，产品广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片制造产线，部分产品已在先进存储、图像传感器（CIS）等领域实现量产。

    根据公告，本次募集资金中，15 亿元将用于高端半导体设备产业化基地建设项目。该项目位于辽宁省沈阳市浑南区，拟新建生产洁净间、立体库房、测试实验室等设施，引入先进生产配套软硬件，打造规模化、智能化、数字化产业化基地。项目总投资预计 17.68 亿元，其中部分资金来自公司首次公开发行募集资金，本次追加投资后，将大幅提升公司薄膜沉积设备产能，缓解未来产能瓶颈，满足下游市场持续增长的需求。目前，公司已取得项目土地使用权证、用地规划许可证等相关审批文件，项目建设期为 5 年。

    前沿技术研发中心建设项目拟投入募集资金 20 亿元，总投资 20.92 亿元，实施主体为拓荆创益及拓荆上海，建设地点涉及沈阳浑南区及上海临港新片区。项目将聚焦先进薄膜沉积设备核心技术研发，包括 PE-ALD、Thermal-ALD、先进 PECVD、沟槽填充 CVD 等系列产品及工艺的研发与优化，同时开发新一代半导体智能化控制系统和控制软件架构。研发内容覆盖多种先进介质、金属及金属化合物薄膜材料工艺，将满足先进逻辑芯片、存储芯片、三维集成等领域对高产能、高性能设备的需求。项目建设期为 3 年，通过持续技术创新，将进一步提升公司产品工艺覆盖面与智能化水平，强化核心竞争优势。

    此外，11 亿元募集资金将用于补充流动资金。拓荆科技所处的半导体设备行业属于资本密集型行业，近年来公司业务规模快速增长，2022-2024 年营业收入年复合增长率达 55.08%，对流动资金的需求持续增加。本次补充流动资金将有效缓解公司营运资金压力，优化财务结构，降低财务风险，为公司生产经营和研发创新提供稳定资金支持。

    公告指出，本次募投项目均符合国家半导体产业发展政策导向，响应了国产化替代的迫切需求。在全球贸易摩擦加剧、国内高端半导体设备自给率偏低的背景下，项目的实施将有助于推动我国高端半导体设备行业高质量发展，增强半导体产业链韧性与供应链安全自主水平。同时，依托公司持续的高研发投入、专业的研发团队（截至 2025 年 9 月 30 日，研发人员占比达 40.72%）、丰富的技术储备（累计申请专利 1918 项）及稳定的客户资源，项目具备充分的实施可行性。

    拓荆科技表示，本次募集资金投向均属于科技创新领域，是公司现有主营业务的升级、延伸和补充，与公司长期发展战略高度契合。项目实施后，将进一步提升公司产能规模、技术创新能力和市场竞争力，助力公司抓住半导体产业快速发展的机遇，为我国集成电路产业高质量发展提供有力支撑。